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IC先進(jìn)制程之戰(zhàn),臺(tái)積電三星如何角逐?

更新時(shí)間:2019-05-09      瀏覽次數(shù):908

近日,臺(tái)積電、三星掀起集成電路先進(jìn)制程的新一輪搏殺,交錯(cuò)公布在7nm EUV、6nm、5nm的進(jìn)展。隨著制程跨過(guò)7nm大關(guān),臺(tái)積電、三星成為繼續(xù)推動(dòng)先進(jìn)制程前進(jìn)的僅有的兩個(gè)玩家。在7nm EUV與5nm兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn),臺(tái)積電與三星如何角逐?代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局將發(fā)生怎樣的變化呢?

三星積極進(jìn)取,臺(tái)積電緊守陣地

4月16日,三星宣布完成5nm FinFET研發(fā),較其7nm芯片特定面積晶體管數(shù)量增加了25%,速度提高10%,耗能降低20%,6nm芯片也完成了設(shè)計(jì)定案,預(yù)計(jì)2019年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。當(dāng)晚,臺(tái)積電跟進(jìn)宣布6nm技術(shù)即將面世,預(yù)計(jì)2020年季度試產(chǎn)。本月初,臺(tái)積電已經(jīng)公布5nm進(jìn)入試產(chǎn)階段的消息。相比7nm工藝,基于ARM Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度,性能提升達(dá)15%。

在7nm節(jié)點(diǎn),三星被臺(tái)積電全面壓制。2018年4月,臺(tái)積電采用DUV技術(shù),實(shí)現(xiàn)7nm量產(chǎn),蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通驍龍855等幾乎所有在2018年面世的7nm處理器皆采用臺(tái)積電制程。而三星希望在7nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)用EUV技術(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的,研發(fā)進(jìn)展相對(duì)緩慢,在2018年沒(méi)有商用產(chǎn)品問(wèn)世。自家處理器Exynos 9820也采用8nm LPP工藝打造,在制程上被蘋(píng)果、華為拉開(kāi)差距。

但三星也并非沒(méi)有還手之力。采用EUV技術(shù)的7nm產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年4月開(kāi)始出貨,Exynos 9825有望成為搭載7nm EUV的處理器。此外,三星7nm EUV斬獲了IBM訂單,雙方將合作開(kāi)發(fā)下一代高性能計(jì)算處理器。本次高調(diào)宣布7nm EUV、6nm、5nm進(jìn)展,顯示出三星在代工市場(chǎng)的進(jìn)取心。據(jù)TrendForce公布的數(shù)據(jù)顯示,今年一季度三星在芯片代工市場(chǎng)的份額將達(dá)到19.1%,較去年的14.9%提升近三成,而臺(tái)積電的*則出現(xiàn)了下滑,從去年的50.8%下降到48.1%。在三星宣布5/6nm進(jìn)展后,素來(lái)低調(diào)的臺(tái)積電選擇時(shí)間回應(yīng),也表現(xiàn)出臺(tái)積電捍衛(wèi)*的決心。

7nm EUV與5nm是競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn),雙方的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

三星和臺(tái)積電有兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn),一是誰(shuí)先大規(guī)模量產(chǎn)7nm EUV,二是誰(shuí)能量產(chǎn)5nm。半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家莫大康向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出,臺(tái)積電與三星各有所長(zhǎng),綜合EUV在生產(chǎn)過(guò)程的應(yīng)用程度、配套技術(shù)、企業(yè)模式等因素,臺(tái)積電與三星差不多,臺(tái)積電在宣傳及客戶忠誠(chéng)度方面更有優(yōu)勢(shì)。

三星電子副董事長(zhǎng)金基南曾在股東大會(huì)上表示,相信三星將能夠先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手大規(guī)模生產(chǎn)7nm EUV產(chǎn)品。盡管在2018年年底就傳出7nm EUV量產(chǎn)消息,三星至今沒(méi)有明確的商用產(chǎn)品,原因在于EUV的實(shí)用化過(guò)程困難重重。莫大康向記者指出,EUV的困難體現(xiàn)在整個(gè)制程,包括光刻膠、Pellicle、缺陷檢查、光源功率以及設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行等各個(gè)環(huán)節(jié)。他估計(jì),EUV在半導(dǎo)體行業(yè)擴(kuò)行至少需要1-2年。

“TSMC的EUV已經(jīng)從4層擴(kuò)大到10多層, 在3D封裝、管理,包括模式,中立(只代工不像三星是IDM)等均有優(yōu)勢(shì);而三星試圖‘全EUV’,然而(實(shí)踐起來(lái))可能有困難。”莫大康說(shuō)。

賽迪研究院集成電路研究所副所長(zhǎng)朱邵歆也向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出,晶圓代工是否使用EUV,更多是代工企業(yè)和設(shè)計(jì)企業(yè)共同研發(fā)和決定,會(huì)綜合成本和效率等因素。這意味著,即便三星的“全EUV”能夠落地,除非具備的性價(jià)比,才會(huì)被設(shè)計(jì)廠商采納。

在5nm節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電進(jìn)度更快。TrendForce拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師陳彥尹向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,雖然三星有自家手機(jī)處理器需求為基礎(chǔ),但臺(tái)積電已經(jīng)與眾多客戶有著長(zhǎng)年積累的合作關(guān)系。4月3日,臺(tái)積電宣告5nm進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),而三星在差不多的時(shí)間僅僅完成技術(shù)開(kāi)發(fā),臺(tái)積電更勝*。

但是,在5nm節(jié)點(diǎn),研發(fā)費(fèi)用將激增到5億美元,除了通信基帶、高性能服務(wù)器、人工智能、手機(jī)領(lǐng)域的少數(shù)玩家,大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)廠商無(wú)力跟進(jìn),需要市場(chǎng)培育期。

未來(lái),雙方的制程之戰(zhàn)將更加艱巨。三星已經(jīng)驗(yàn)證了3nm工藝性能,臺(tái)積電的3nm工廠也正式通過(guò)環(huán)評(píng)。莫大康指出,在5nm到3nm的研發(fā)中,晶體管架構(gòu)將發(fā)生改變,環(huán)柵、納米線以及導(dǎo)線金屬材料(由鈷代替銅)隨之變化,可謂周期長(zhǎng)、代價(jià)高,雙方都將面臨挑戰(zhàn)。

除了“數(shù)字游戲”,代工還能怎么玩?

臺(tái)積電、三星的“數(shù)字游戲”,除了帶動(dòng)手機(jī)芯片、高性能計(jì)算繼續(xù)向前邁進(jìn),也影響著代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

陳彥尹向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出,代工廠商的分工越來(lái)越明顯。首先,臺(tái)積電、三星成為先進(jìn)制程工藝的重點(diǎn)供應(yīng)商,先進(jìn)制程在兩者代工事業(yè)的比重逐漸增強(qiáng),2019年臺(tái)積電的7nm營(yíng)收貢獻(xiàn)有望挑戰(zhàn)30%(2018年僅占9%)。其次,英特爾雖沒(méi)有明確公布在晶圓代工事業(yè)的進(jìn)展,但有不少跡象指出,英特爾短期內(nèi)會(huì)以服務(wù)器、NB IOT等自身需求為主,不會(huì)與臺(tái)積電、三星正面較量。其他代工從業(yè)者則會(huì)更加注重10nm以上的市場(chǎng)。

那么,臺(tái)積電、三星、英特爾以外的代工廠商該如何進(jìn)行差異化競(jìng)爭(zhēng)呢?

首先是持續(xù)優(yōu)化成熟制程的性價(jià)比。陳彥尹認(rèn)為,晶圓代工從業(yè)者可基于更加成熟的制程,持續(xù)強(qiáng)化成本結(jié)構(gòu)、提升產(chǎn)品性能,來(lái)吸引更加多元的客戶訂單。

其次是提升特色工藝的豐富程度。賽迪研究院集成電路所研究成果顯示,隨著5G商用步伐加快,新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域快速發(fā)展,對(duì)模擬、射頻、電源管理、傳感器等特色代工需求不斷增長(zhǎng),代工企業(yè)可緊跟新興技術(shù)市場(chǎng),加大對(duì)特色工藝的研發(fā)力度。

另外,代工從業(yè)者應(yīng)增強(qiáng)對(duì)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的理解程度,深化與設(shè)計(jì)廠商的合作模式。朱邵歆向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,設(shè)計(jì)企業(yè)和代工企業(yè)之間的綁定關(guān)系會(huì)更加牢固,雙方合作研發(fā)合作開(kāi)拓市場(chǎng),可以形成虛擬的IDM模式,甚至過(guò)渡到共享IDM模式。

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